MonolithIC3DMonolithic 3D- GeneraBy MonolithIC 3D Insued March 2013Copyright MonolithIC 3D Inc, seuraavan sukupolven 3D-IC Company, 2012 - Kaikki oikeudet pidätetään, patentteja haetaan 2
MonolithIC3DPart 1: Monolithic 3D - GeneraCopyright MonolithIC 3D Inc, seuraavan sukupolven 3D-IC Company, 2012 - Kaikki oikeudet pidätetään, patentit vireillä 1
MonolithIC3DCLuku 1 – Onko MonolithIC 3D Inc:n presidentin ja toimitusjohtajan Zvi Or-Bachin skaalaukseen liittyvä kustannusten aleneminen Kyllä, ellemme laajenna mittaskaalausta monoliittisella 3D-1C skaalausjohdeteollisuudella. nähdä jokaisen uuden tuotesyklin yhteydessä parempia tuotteita pienemmällä hinnalla Mutta nyt muodostuu myrskypilviä, kuten äskettäin ilmaistiin"Nvidia on syvästi tyytymätön TSMC:hen, väittää 20 nm:n oleellisesti arvoton Selkeän mittasuhteen scalo pidempään liittyy keskimääräisiin kustannuksiin oheinen kaavio, julkaissut lBs kustannusten vähenevästä hyödystä dimensioskaalauksen vähentäminen Itse asiassa kaavio osoittaa, että 20 nm:n solmu saattaa liittyä korkeampiin kustannuksiin kuin edellinen solmu. Ensimmäistä kertaa sen jälkeen, kun olemme aloittaneet skaalaussuunnitelman noudattamisen, Jones näkee kustannusportin nousun 22 nodissa(8
9)(127)(40065nm4540nm3228nm2220nmTechno logy Nodele seuraava Nvidia-kaavio tarjoaa ensimmäisen kertaluvun selityksen mittaskaalalle, joka on seurausta transistorien lukumäärän kaksinkertaistamisesta kiekkoa kohden. , Patentit vireillä
Uuden teknologian solmun MonolithIC3Dhe-kiekkojen hinta nousee liikaa ja sitten se neutraloi. Nvidia-kaavio näyttää viimeisimmät (80 nm, 55 nm, 40 nm) kiekkojen lisäkustannukset nousevat näiden kustannusten nopea aleneminen johti lähes epävakaisiin solmuihin (28 nm) 20 nm, 14 nm, kuitenkin merkki uudesta todellisuudesta. vähän säästöjä Xtorissa, Coo:n alentaminen, yksinkertaistaminen
jne kannustaaksemme Fab-asiakkaita 20 ja 14 nm:iin Tee yhteistyötä siirtyäkseen isompiin (450 mm) kiekoihin, ja seuraava IBM:n kiireinen dia tiivistää sen selvästi: "Net: ei per kiekkoportti, joka näyttää historiallisia kustannusten alenemistrendejä Tekijänoikeus MonolithIC 3D Inc, seuraavan sukupolven 3D -IC Company, 2012 -Kaikki oikeudet pidätetään, patentit vireillä 13
MonolithIC3DI on ongelma lisääntynyt solmusta solmuun Hinnoittelu: Xover on transistorin kustannukset (Thssuljetut uudet litografiset ratkaisut, kuten EUVComplex kuviointiratkaisuportti, joka näyttää historialliset kustannukset32 nm Immersion/2nm6::hp地mLitho node (nm)SA Silicon2 (nm)SS2012
lyer)e numero yksi ajaa kiekkokustannusten nousua seuraavan teknologiasolmun käsittelyyn tarvittavien laitekustannusten nousua Seuraavassa kaaviossa esitetään pääoman, prosessin T&K- ja suunnittelukustannusten nousu. , Solmun etenemiseen liittyvät suunnittelukustannukset ovat nousseet merkittävästiFa: cestChpDesgn CetndwangFasieCopyright MonolithIC 3D Inc, seuraavan sukupolven 3D-IC-yritys, 2012 - Kaikki oikeudet pidätetään, patentteja haetaan 14
MonolithIC3Dhe skaalauson liittyvä kustannusten jyrkkä nousu on uusi ilmiösolmu toiseen, mutta ne olivat epäsäännöllisiä tai vähitellen pieniä. On selvää, että monissa solmuissa pystyimme käyttämään samoja litografiatyökaluja. Mutta kerran ulottuva skaalaus saavutti valon aallonpituuden rajan, litografia tkriittinen ja hallitseva Litografiasta tuli jokaiselle solmulle suuri haaste, joka vaati uudempia laitteita ja merkittävää prosessitutkimusta ja kehitystä
Lisäksi resertografiasolmuissa itse transistori vaati merkittäviä innovaatioita jokaisessa solmussa (hik, Metal Gate, Strain, SiGe, Tri-gate), ja on selvää, että tulevaisuuden skaalatut solmutContinuous Innovation mahdollistaa Mooren lain jatkumisen00◆ 08200mm◆05◆018◆90nmNiSi Strain, Low-k◆65Technologysuin,sie◆◆28mm EnablersTri-gate(3D)19801985199099520002005201AL:n pääoman hankintakustannukset ovat tärkeitä. seuraavat solmun valmistusrivit seuraavassa kuvassa esitetään kustannukset dynaaminen tekijänoikeus MonolithIC 3D Inc:lle, seuraavan sukupolven 3D-IC Companylle, 2012 - Kaikki oikeudet pidätetään, patentit vireillä 15
MonolithIC3D◆Ar= Immersio▲ArF-DryKrF-DUV◆G&|Line01■ Laajakaista0
01196019802002020Vuosigrafiatyökalut kasvoivat alle 10 prosentista wafer Fab -laitteiden (WFE) kulutuksesta yli 25 prosenttiin, ja vastaavasti litografia edustaa nyt noin 50:tä vesikosmennusta. Mielenkiintoinen seuraus litografian kasvavasta dominoinnista puolijohdekäsittelyssä on se tosiasia, että ASML on litografian johtava toimittaja, joka on liian äskettäin hyväksytty Applied Materials (thether tools) -markkina-arvo. Seuraa kaaviota ASML:n osakekurssista (punainen) vs Applied Material (AMADct 2009 Apra Dct 2011Copyright MonolithIC 3D Inc, seuraavan sukupolven 3D-IC Company, 2012 - Kaikki oikeudet pidätetään, patentteja haetaan 16
MonolithIC3D:n selvä johtopäätös kaikesta tästä on, että tulevan ulottuvuuden skaalaus ei tarkoita IBMwaferissa ilmoitettujen muutosten vaihtamista eikä historiallisia kustannusten alenemissuuntauksia osoittavaa porttia " Ellei skaalaustapaa muutettaisi (muistaa Einsteinin kuuluisa ohje) transistorin yksi kolmesta Mooren kuvailemasta trendistä, joka mahdollistaisi havaitun ja ennustetun laitteiden integraation eksponentiaalisen kasvun. Harmi, että nyt on aika katsoa toinen niistä - suulakkeen koon kasvattaminen Jos teemme sen käyttämällä 3. ulottuvuuden monoliittista 3D-IC- voimme saavuttaa sekä korkeamman integraation että kustannusten alennuksen. Ei tarkoita sitä, että meidän pitäisi lopettaa skaalaus, vaan se, että jos lisäämme sitä skaalauksella, tuomme käyttöön tarvittavat muutokset, joilla voidaan saavuttaa kustannussäästötrendin jatkuminen. On selvää, että lähes kaikki kiekkojen kustannusten nousut liittyvät tahtiulotteinen skaalaus
Jos nämä kustannukset voitaisiin jakaa neljälle vuodelle kahden sijasta, kiekkojen kustannusten nousu olisi vain noin puolet nykyisestä, ei kuitenkaan ole niin selvää, miksi monoliittisen 3D:n pitäisi vähentää kiekkojen kustannuksia. kahdelle kerrokselle levitetty kaksinkertainen suulakekoko on vähintään kaksinkertainen? Monoliittinen 3D IC alentaisi kiekkojen kustannuksia seuraavien osien vuoksi Pienempi suuttimen koko - Monissa tutkimuksissa on osoitettu, että eackg 3D:ksi voi pienentää tarvittavaa piipinta-alaa 50 % johtuen syntyneestä uudelleenpuskuroinnista ja puskureiden pienennetystä koon lisäysheterogeenisesta integraatiosta Skaalaus mahdollistaisi heterogeenisen erottelun Tämä avaa Mooren parannetun piirisuunnittelun kolmannen trendin Koska jokainen 3D ic:n osa voidaan käsitellä eri virtauksessa, kustannukset ja teho voisivat tallennetaan käyttämällä erilaista prosessikulkua logiikkaa, muistia ja OCopyright MonolithIC 3D Inc:n kanssa, seuraavan sukupolven 3D-IC Company, 2012-Kaikki oikeudet pidätetään, patentit vireillä 17
MonolithIC3DCContentsChapter 1-on kustannussäästöt liittyvät skaalaus taiLuku 22012-Keskeinen kohta monoliittiselle 3D ICit kahdesti thLuku 6-Low Temperature Cleaving Luku N 10yhdistäminen:‖TCChapter Stacks 1-Chapter. MonolithIC:n ovi 3DOsa 2: 3D-CMOS: Monoliittinen 3D104Luku 13 – Hienorakeisen 3D-integroinnin tapa ja mitenOsa 3: 3D-FPGA: Monoliittinen 3D-ohjelmoitava logiikka Luku 14-Kolmiulotteinen FPGA-ark. Muisti ja monoliitti 3DPART 5: 3D-korjaus: Saanto-palautus korkean tiheyden sirukoittimen 17-CAN-saannon nousu 3D-pinoamisella? 28Luku 18-monoliittinen 3D IC voisi lisätä piirin integrointia 1000-kertaisella 19-6-korjauksella 3D-pinolla: Polku 100%: n saannoon Ei sirun kokorajoituksia Osa 6: 3D-DRAM: M3D DRAM Luku 20 - Esittelyssä monoliittinen 3D DRAM -tekniikkamme taide 7: 3D- RRAM: Monoliittinen 3D RRAM Luku 21 - Esittelyssä Monolithic 3D Resistive Memory Company, NextICD-Resistive Memory Inc. , 2012 - Kaikki oikeudet pidätetään, patentit vireillä 3
MonolithIC3DCLuku 22 - Flas
h Alan suunta ja monoliittinen 3D Inc:n ratkaisuOsa 9: Int sim v25Luku 23-IntSim v2: avoimen lähdekoodin simulaattori monoliittisille 2D- ja 3D-IC:ille -IC Company, 2012 -Kaikki oikeudet pidätetään, patentit vireillä 4
MonolithIC3DAe-kirjan kirjoittajistaZvi Or-BachPresident ja CEoZvi Or-Bach on monoliittisen 3DTM Inc:n perustaja, vuoden 2011 Best of semiconest -kilpailun finalisti monoliittisen 3D-IC-läpimurtonsa vuoksi. Or-Bach oli myös teemojen finalisti Vuoden 2011 ja 2012 Innovator of the Year -palkinto uraauurtavasta workmonolithic 3D-ICsion ledst Structured ASIC -arkkitehtuurista, ensimmäisestä yksittäisestä ohjelmoitavasta ryhmästä ja ensimmäisestä laserpohjaisesta järjestelmästä yhden päivän porttitaulukon mukauttamiseen Vuonna 2005
Or-Bach voitti eetimes vuoden keksijä -palkinnon ja hänet valittiin osaksi "Disruptors" -ryhmää - "Ihmiset, tuotteet ja teknologiat, jotka muuttavat tapaamme elää, työskennellä ja pelata"Ennen monoliittista 3D-tai -Bach perusti basicin vuonna 1999 ja toimi kuuden vuoden ajan. eASIC:n rahoittivat johtavat sijoittajat vinod Khosla ja KPc kolme peräkkäistä kierrosta Or-Bachin johdolla eASIC voitti arvostetun vuoden 2005 ACE Award -palkinnon vuoden lopullisena tuotteena Logic and Programmable Logiced -kategoriassa. Chip Expre989 (äskettäin Gigoptix osti) toimi yrityksen toimitusjohtajana lähes 10 vuotta, mikä toi yrityksen 40M revend -yritykselle alan tunnustuksen kolmena peräkkäisenä vuotena korkealaatuisena Fast 50 -yrityksenä, joka palveli yli 1000 ASIC-mallia, mukaan lukien monia yhden päivän prototyyppejä ja viikon tuotantoa ennen kuin hän aloitti yrittäjänä ASIC-teknologian alalla. Or-Bach suoritti sähkötekniikan insinöörityön (exingtolIssachusetts) cum laude Technion-Israel Institute of Technologysta ja diplomi-insinöörin (1979) tietojenkäsittelytieteen ansiolla. Weizmann InstituteCopyright MonolithIC 3D Inc, seuraavan sukupolven 3D-IC Company, 2012 - Kaikki oikeudet pidätetään, patentit vireillä 5
MonolithIC3Dsrael
Hänellä on yli 100 myönnettyä tai vireillä olevaa patenttia, pääasiassa 3D-piirien ja puoliksi räätälöityjen siruarkkitehtien alalla, hallituksen puheenjohtaja tai puolijohteet Biaxial ja visuMenu tai -harrastaja puolijohdeteollisuudessa, ja hän on osallistunut aloitteisiin maahanmuutto- ja koulutuspolitiikan parantamiseksi. hyödyttää samaa Tekijänoikeus MonolithIC 3D Inc, seuraavan sukupolven 3D-IC Company, 2012 - Kaikki oikeudet pidätetään, patentit vireillä 6
MonolithIC3DBrian CronquistViceBrian Cronquistilla on yli 31 vuoden kokemus puolijohdeteollisuudesta, viimeksi Sr Dology Development& Valimo haihtumattoman FPGa-toimittajan Actel Heillä on maailmanlaajuinen kokemus piikiekkopöydän molemmilta puolilta: Chartered Semiconductor (Singapore) -teknologian käynnistäminen ja rakentaminen ja asiakkaat vankeudessa sitten pureh)FPGa-teknologiana Actepartnerilla ja asiakas yli 7 valimolle ja IDM:lle. myös johti käynnistyskiekko fabSierra Semiconductor
Nyt PMC-Sierra ja kehittänyt uutta prosessiteknologiaa AMI:ssä ja Synertekissä/HoneyweCronquistilla on monipuolinen tekninen kiinnostus, joka sisältää erittäin ohuen esiselkkauksen kehittämisen (ensimmäisenä metallien ja oksidien plasmaetsaus, tietokannan skaalaustekniikat, prosessisimulaatiointegraatioromaani ioni-imitointitekniikat, ensimmäiset CMOS MOSFETit, jotka on rakennettu laser(Cw)hehkutuksella, minimoivat prosessin aiheuttamat PID-vauriot plasmasyövytyksestä ja ioni-istutuksesta, uuden tuotteen ja prosessin markkinoille tuloaika (NPI) ja asiakassuunnitteluohjelman hallintatyö Actelissä. Yli 24 miljoonan dollarin valtion rahoittamien karkaistujen (RH) versioiden päätutkija. Hän on julkaissut yli 85 kenttäpuolijohteiden mikroelektronisen säteilyn vaikutuksia ja kovettumista sekä uutta logiikkaa, sulakkeenesto-flash-prosesseja, -laitteita ja luotettavuutta. MiCronquist valmistui cum laude (kemian mitali) kemiassa Santa Claran yliopistosta vuonna 1979. Tällä hetkellä hän on vieraileva tutkija Rice Universityn kemian osastolla ja teollisuuskumppanina Stanfordin yliopiston NanofabricationCopyright MonolithIC 3D Inc:ssä, seuraavan sukupolven 3D-IC-yrityksessä, 2012. Kaikki oikeudet pidätetään, patentit vireillä
MonolithIC3DZe'ev wumaPääohjelmistoarkkitehtiWurmanilla on yli 30 vuoden kokemus algoritmien, CAD-ohjelmistolaitteistojen ja ohjelmistoarkkitehtuurien kehittämisestä Ennen kuin monolithIC 3Dhe johti ohjelmistokehitysryhmiä Dyna Chipissä, FPGA-käynnistysyrityksessä, jonka Xilinx osti myöhemmin, ja eAsIcPrintatorille. Amdahlissa, Silvar-Liscon CAD-ohjelmiston suurimmassa ja nopeimmassa laitteistokiihdyttimessä, ja hän työskenteli IBM Resealalfassa Israelissa, työskennellen algoatabastojen ja kryptografian parissa. Yhdysvalloissa
sOpetuslaitosWurmanilla on sähkötekniikan B Sc- ja MSc-tutkinnot Technionista, Israel. Hän on julkaissut teknisiä julkaisuja ammatti- ja ammattilehtiä ja omistaa seitsemän patenttia. Patentit vireillä 8
MonolithIC3DCTO Devicedustries Vuodesta 1989 vuoteen 2006 hän oli vanhempi eknologi ja yritysjohtaja Applied Materialsissa (NASDAQ: AMAT), joka on puolijohdelaitteiden maailmanlaajuinen johtaja, jossa hän toimi erilaisissa johtotehtävissä Heof thO)fornt Groupissa ja myöhemmin globaaleissa palveluissa. grolso toimi Chief Marketing Officerina (CMO) Thin Films Groupin (TFG) CmP-divisioonan ja CTO:n johtajana. Tohtori Beinglass oli mukana useissa onnistuneissa yrityskaupoissa ja oli Applied Materials Strategy- ja Marketing Councilin jäsen, joka oli yksi selektiivisen Epieposition kehittäjän keksijänä.
Hän oli myös avainasemassa alan ensimmäisen yksikammioisen polypiipinnoitusjärjestelmän ja integroidun, monikammioisen torjunta-ainejärjestelmän kehittämisessä. Ennen Applied Materialsiin liittymistään tohtori Beinglass työskenteli C (NASDAQ INTC) ja IMP (NASDAQ: IMPX) eri tehtävissä prosessien kehityspäällikkönä ja Engineering managere työskentely attel hän oli valikoivan volframipinnoitusprosessin keksijä Hän oli osasaaja beatrice Winner Awarditorial ExcellenceIntl Solid StateCircuits -konferenssissa vuonna 1982 Hän toimii hallituksen jäsenenä noise free wireless and Spectrosissa ja aiemmin hallituksen jäsenenä Siliconissa synty vuosien 1998 ja 200 lasitieteen välillä UCSF:n hausta ja 30 Uspatentsin (288 viittausta) sekä useiden vireillä olevien patenttien haltijaCopyright MonolithIC 3D Inc, seuraavan sukupolven 3D-IC Company, 2012 - Kaikki oikeudet pidätetään, patentteja haetaan 9
MonolithIC3DDeepak Sekar, Ph DDr Deepak sekar sai tekniikan tutkinnon Indianute of Technologysta (Madras) 2003 ja tohtorin georgia Institute of Technologysta vuonna 2008. Hän työskenteli SanDisk Corporationissa vuosina 2006–2010 ja johti uudelleen tiivistämistyötä. Yrityksen päätutkija ja jätti yhtiön maaliskuussa 2012 viimeiset 8 vuotta Karsin tutkimukset ovat keskittyneet PhDh:hen osallistuneet lopputyön jäähdytetyt 3D-pinotut sirut
Hän kehitti myös CAd-työkalun nimeltä Intsim, joka simuloi 2Dnd 3D-pinottuja järjestelmiä. San Diskissä tohtori Sekar työskenteli 3D-ristipistemuistin parissa ja kehitti uudelleenkirjoitettavia muistilaitteita, valitsindiodeja ja arrayarkkitehtuureja, jotka on myönnetty tai vireillä, pääasiassa 3D-alalla. Hänen saamiinsa integraatiopalkintoihin kuuluvat muun muassa parhaan opiskelijapaperin palkinto Intl Interconnect Technology Conferencessa (2008), paras paperipalkinto theechnical Reviewissa (2009), Intel (2008), kaksi Semiconductor Research Corporationin palkintoa (2006, 2009) ja Nationalalent. Intian hallituksen stipendi (1997-2003) Komitean puheenjohtaja kansainvälisessä yhteenliittämisteknologiakonferenssissa ja neuvottelukunnan jäsenenä 3d InCitesCopyright MonolithIC 3D Inc:lle, seuraavan sukupolven 3D-IC-yritykselle, 2012 - Kaikki oikeudet pidätetään, patentit vireillä 10